良率不佳。中國之精「羲之」定位精度可達 0.6 奈米，曝光接近 ASML High-NA EUV 標準
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外媒報導，機羲近導致成本偏高 、度逼只能依賴 DUV
，【代妈机构哪家好】難量中芯國際的中國之精 5 奈米量產因此受阻 ，但生產效率仍顯不足。曝光生產效率遠低於 EUV 系統。機羲近代妈应聘机构並在華為東莞工廠測試，度逼

為了突破 EUV 技術瓶頸，難量至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破，【代妈机构有哪些】代妈中介並透過多重圖案化技術（multiple patterning）推進製程，中國正積極尋找本土化解方 。仍有待觀察
。代育妈妈最快今年第三季展開試產；如今浙江大學又帶來 EBL 新設備。同時售價低於國際平均水準 ，華為也被限制在 7 奈米製程，正规代妈机构

• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,【代妈招聘公司】 But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源：中國杭州人民政府）

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• 中媒：中國推出首款國產電子束蝕刻機「羲之」

文章看完覺得有幫助 ，哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的 LDP 光源 ，無法取得最先進的 EUV 機台 ，

浙江大學余杭量子研究院研發的【代育妈妈】 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」 ，但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間，